資格クエスト
第三種電気主任技術者2024上期

11

理論
バイポーラトランジスタと電界効果トランジスタ(FET)に関する記述として、誤っているものを次の(1)~(5)のうちから一つ選べ。
問11の図
バイポーラトランジスタは消費電力がFETより大きい。
バイポーラトランジスタは静電気に対してFETより破壊されにくい。
バイポーラトランジスタの入力インピーダンスはFETのそれよりも低い。
バイポーラトランジスタは電圧制御素子であり、FETは電流制御素子である。
正解
バイポーラトランジスタのコレクタ電流は自由電子及び正孔の両方が関与し、FETのドレーン電流は自由電子又は正孔のどちらかが関与する。

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